以下是光刻膠剝離劑的新技術及其最新進展:
新型化學配方
環保型配方:默克公司推出的AZ? 910 去除劑,基于不含有NMP(N-甲基吡咯烷酮)的新型特制化學配方。這種配方不僅能夠快速溶解殘留光刻膠,還具備超高的經濟性、出色的環保性和廣泛的適用性。與傳統NMP清洗劑相比,它可直接溶解負性和正性光刻膠,而非僅剝離,從而將清洗工藝時間縮短近一半,同時延長相關材料和過濾設備的使用壽命,降低總體成本。
多功能配方:一種新型的光刻膠剝離液,包含用于溶解的有機溶劑、加快去膠速率的解交聯催化劑,以及避免基片腐蝕的防腐蝕保護劑。這種剝離液能夠縮短去膠周期,對人體和環境無毒性,尤其適用于曝光后發生交聯的光刻膠,尤其是負性光刻膠,能夠徹底清除,防止影響后續使用性能。
新的剝離工藝
無需加熱和振蕩的工藝:上述提到的新型光刻膠剝離液,其應用工藝不需要加熱、振蕩等過程。這不僅可以提高去膠速度,還能避免輔助措施可能對基片造成的破壞,進一步提高生產效率和產品質量。
等離子體剝離技術:等離子光刻膠剝離劑因其提供環保解決方案同時確保與先進技術兼容的能力而受到關注。這種技術通過等離子體的作用來去除光刻膠,具有更高的去除效率和精度,且對環境友好,符合未來半導體制造對綠色生產的要求。
其他技術突破
高精度去除:隨著半導體制造工藝向更小尺寸和更高集成度發展,對光刻膠剝離劑的性能要求也在不斷提高。研發人員正在致力于開發能夠更精確地去除光刻膠,同時最大限度減少對硅晶片損害的剝離劑,以滿足嚴格的環境和安全標準。
國產化進展:在國內,相關企業和研究機構也在積極推進光刻膠剝離劑的國產化。例如,華中科技大學武漢光電國家研究中心團隊在半導體專用光刻膠領域實現重大突破,這為光刻膠剝離劑的國產化研發提供了有力的技術支持。
【目標客戶】國內生產企業、產品工業設計院所,研究機構,科研院校的科技人員、公司經理。
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