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《絕緣柵雙極型晶體管制造工藝技術精選》
緣柵型場效應管（MOSFET）：同樣通過電壓控制電流，使用單一類型的載流子。MOSFET具有更高的輸入阻抗和更低的噪聲，且開關速度較快，適用于高頻應用。結構上與MOSFET相似，但增加了柵氧層以實現更好的絕緣。MOSFET也分為N溝道和P溝道，具有增強型和耗盡型兩種類型。它具有比結型場效應管更高的輸入阻抗（可達1012Ω以上），并且制造工藝比較簡單，使用靈活方便，非常有利于高度集成化。應用于高頻電路、開關電源、驅動電路等，因其開關速度快、輸入阻抗高、噪聲低，特別適合需要高速開關和高頻響應的場合。
本篇是為了配合國家產業政策向廣大企業、科研院校提供絕緣柵雙極型晶體管制造工藝匯編技術資料。資料中每個項目包含了最詳細的技術制造資料,現有技術問題及解決方案、產品生產工藝、配方、產品性能測試，對比分析。資料信息量大,實用性強,是從事新產品開發、參與市場競爭的必備工具。
本篇系列匯編資料分為為精裝合訂本和光盤版，內容相同，用戶可根據自己需求購買。
GaN作為第三代半導體由于具有高電子飽和漂移速率，寬禁帶，耐高溫，高擊穿場強等優點，是固態微波功率器件和功率電子器件未來的發展方向。
【內容介紹】 本資料收錄了國內外最新GaN基晶體管制造工藝配方,最新專利技術新成果全文資料，工藝配方詳盡，技術含量高、從事高性能、高質量、GaN基晶體管研究生產單位提高產品質量、開發新產品的重要情報資料。
【資料內容】生產工藝、配方
【資料數量】62項
【出品單位】國際新技術資料網
【電 子 版】1480元（PDF文檔 郵件傳送）
目錄
| 1 | 一種GaN基晶體管及其制作方法和應用 | 廈門市三安集成電路有限公司 |
| 2 | 一種GaN晶體管結構及其制備方法 | 安徽大學 |
| 3 | GaN晶體管與柵極驅動器的合封結構及合封方法 | 上海燁映微電子科技股份有限公司 |
| 4 | 具有傾斜柵極場板的GaN半導體功率晶體管和制造方法 | 英飛凌科技加拿大公司 |
| 5 | 基于薄膜晶體管技術的單片集成GaN共源共柵結構 | 西安電子科技大學 |
| 6 | 具有雙柵結構的p-GaN柵極氮化鎵高電子遷移率晶體管 | 北京大學 |
| 7 | 一種增強型GaN高電子遷移率晶體管及其制備方法 | 湖北九峰山實驗室 |
| 8 | 一種具有GaN/AlGaN異質結的GaN基絕緣柵雙極型晶體管 | 東南大學 |
| 9 | 基于超薄AlN緩沖層和SiN歐姆接觸層的GaN高電子遷移率晶體管及制作方法 | 西安電子科技大學 |
| 10 | p-GaN柵高電子遷移率晶體管模型及其建模方法 | 東南大學;無錫華潤上華科技有限公司 |
| 11 | 具有階梯式金屬場板的GaN半導體功率晶體管及制造方法 | 英飛凌科技加拿大公司 |
| 12 | 常關型極化超結GaN基場效應晶體管和電氣設備 | 株式會社POWDEC |
| 13 | GaN基高電子遷移率晶體管及其制備方法 | 京東方華燦光電（蘇州）有限公司 |
| 14 | GaN基高電子遷移率晶體管及其制備方法 | 京東方華燦光電（蘇州）有限公司 |
| 15 | 一種鐵電極化耦合的GaN場效應晶體管 | 中國電子科技集團公司第五十五研究所 |
| 16 | 一種凹槽型肖特基源p-GaN晶體管及其制備方法 | 西安電子科技大學 |
| 17 | 一種具有P-GaN源極擴展的GaN晶體管及其制備方法 | 西安電子科技大學 |
| 18 | 一種超晶格柵極的GaN高電子遷移率晶體管 | 中國電子科技集團公司第五十五研究所 |
| 19 | 具有臺階P型GaN半包圍MIS柵的高電子遷移率晶體管及制備方法 | 重慶郵電大學 |
| 20 | 一種N面GaN/ScAlGaN高電子遷移率晶體管及其制備方法 | 西安電子科技大學 |
| 21 | 一種GaN襯底表面無損傷生長金剛石膜的方法以及GaN基高電子遷移率晶體管 | 西安交通大學 |
| 22 | 具有主GaN功率晶體管和GaN電流感測晶體管的GaN管芯 | 英飛凌科技奧地利有限公司 |
| 23 | 一種單片集成的全GaN共源共柵場效應晶體管及其制備方法 | 西安電子科技大學 |
| 24 | 具有增強型折疊形狀的AlGaN/GaN MIS高電子遷移率晶體管及制作方法 | 西安電子科技大學 |
| 25 | 具有高閾值電壓的高壓縱向GaN高溝道電子遷移率晶體管 | 電子科技大學 |
| 26 | 一種GaN高電子遷移率晶體管結構及制作方法 | 天津市濱海新區微電子研究院 |
| 27 | 一種GaN基混合柵增強型高電子遷移率晶體管及其制備方法 | 北京大學 |
| 28 | 一種GaN基納米尺度肖特基勢壘場效應晶體管 | 長沙理工大學 |
| 29 | 一種具有P型GaN柵增強型GaN晶體管結構及其制備方法 | 西安電子科技大學;西安電子科技大學廣州研究院 |
| 30 | 一種高壓橫向GaN高電子遷移率晶體管 | 江蘇希爾半導體有限公司;樂山希爾電子股份有限公司;樂山嘉洋科技發展有限公司 |
| 31 | 具有漸變背勢壘緩沖層InAlN/GaN高電子遷移率晶體管及制作方法 | 中國科學院半導體研究所 |
| 32 | 一種基于平面斜柵結構的高線性GaN高電子遷移率晶體管及其制備方法 | 西安電子科技大學 |
| 33 | 基于Fin結構的GaN高電子遷移率晶體管及其制備方法 | 西安電子科技大學 |
| 34 | 一種具有肖特基島結構的抗單粒子P-GaN晶體管及其制備方法 | 西安電子科技大學 |
| 35 | 一種具有埋層結構的抗單粒子P-GaN晶體管及其制備方法 | 西安電子科技大學 |
| 36 | 一種增強型GaN高電子遷移率晶體管及制備方法 | 中國科學院寧波材料技術與工程研究所 |
| 37 | 一種基于P型氮化物隔離的P-GaN晶體管及其制備方法 | 西安電子科技大學 |
| 38 | 一種異質結注入的溝槽型GaN絕緣柵雙極型晶體管 | 重慶郵電大學 |
| 39 | p-GaN高電子遷移率晶體管及其制作方法 | 無錫先瞳半導體科技有限公司 |
| 40 | 一種高線性度GaN晶體管及制備方法 | 廈門市三安集成電路有限公司 |
| 41 | 具有垂直AlGaN/GaN結構的高電子遷移率晶體管及其制備方法 | 江蘇芯港半導體有限公司 |
| 42 | 一種具有n-GaN二次外延層的GaN基高電子晶體管及其制作方法 | 上海格晶半導體有限公司 |
| 43 | 降低襯底漏電流的GaN基JFET場效應晶體管及其制備方法 | 南京大學 |
| 44 | 一種抗單粒子加固的P-GaN高電子遷移率晶體管及其制備方法 | 中國空間技術研究院 |
| 45 | 一種具有GaN基多溝道凹槽MIS結合PN結柵的垂直晶體管及其制作方法 | 上海格晶半導體有限公司 |
| 46 | 一種AlGaN/GaN垂直型高電子遷移率晶體管及其制作方法 | 西安電子科技大學 |
| 47 | 一種AlGaN/GaN垂直型高電子遷移率晶體管及其制作方法 | 北京芯可鑒科技有限公司;北京智芯微電子科技有限公司 |
| 48 | 提高抗輻照能力和耐氫特性的GaN基高電子遷移率晶體管 | 中國科學院半導體研究所 |
| 49 | GaN襯底晶體管器件及其制備方法 | 浙江芯科半導體有限公司 |
| 50 | 具有高功率優值與優異導通特性的GaN場效應晶體管 | 江蘇芯唐微電子有限公司 |
| 51 | 一種低歐姆接觸GaN基高電子遷移率晶體管及其制備方法 | 西安電子科技大學;西安電子科技大學廣州研究院 |
| 52 | GaN基增強型功率晶體管 | 中國科學院微電子研究所 |
| 53 | 一種N襯底溝槽型GaN絕緣柵雙極型晶體管 | 重慶郵電大學 |
| 54 | 結型積累層增強型AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管及其制作方法 | 西安電子科技大學 |
| 55 | GaN基增強型功率晶體管的制備方法 | 捷捷半導體有限公司;中國科學院微電子研究所 |
| 56 | 基于離子注入的抗單粒子p-GaN晶體管及其制備方法 | 西安電子科技大學 |
| 57 | 基于P型GaN漏電隔離層的同質外延氮化鎵高電子遷移率晶體管及制作方法 | 西安電子科技大學 |
| 58 | 基于原位生長MIS結構的P-GaN高電子遷移率晶體管及制備方法 | 西安電子科技大學 |
| 59 | GaN場效應晶體管 | 中國科學院半導體研究所 |
| 60 | 一種傾斜式GaN HEMT集成散熱晶體管及其制備方法 | 深圳大學 |
| 61 | 基于AlGaSbN/GaN異質結的高電子遷移率晶體管及制備方法 | 西安電子科技大學 |
| 62 | GaN基高電子遷移率晶體管、歐姆金屬電極及其制備方法 | 中國科學院微電子研究所 |